Langmuir 吸附等温方程――Langmuir 比表面

（1） Langmuir 理论模型

吸附剂的表面是均匀的，各吸附中心的能量相同；

吸附粒子间的相互作用可以忽略；

吸附粒子与空的吸附中心碰撞才有可能被吸附，一个吸附粒子只

占据一个吸附中心，吸附是单层的，定位的；

在一定条件下，吸附速率与脱附速率相等，达到吸附平衡。

（2） 等温方程

吸附速率：

ra∝(1-θ)P ra=ka(1-θ)P

脱附速率rd∝θ rd=kdθ

达到吸附平衡时：ka(1-θ)P=kdθ

其中，θ=Va/Vm（Va―气体吸附质的吸附量；Vm--单分子层饱和吸附容量，mol/g），为吸附剂表面被气体分子覆盖的分数，即覆盖度。

设B= ka/kd ，则：θ= Va/Vm=BP/（1+BP），

整理可得：

P/V = P/ Vm+ 1/BVm

以P/V～P作图，为一直线，根据斜率和截距，可以求出B和Vm值（斜率的倒数为Vm），因此吸附剂具有的比表面积为：

Sg=Vm·A·σm

A— Avogadro常数 (6.023x1023/mol)

σm— 一个吸附质分子截面积(N2为 16.2x10-20m2)，即每个氮气分子在吸附剂表面上所占面积。

本公式应用于：含纯微孔的物质；化学吸附。